沉积方法: 低应力LPCVD炉管
氮化硅薄膜厚度: 100nm.
自由膜应力水平:<100MP(抗拉),
折射率:2.2+/-0.05
窗口尺寸: 52*52um
外框厚度:200um
外宽尺寸:2.5*2.5mm
先进电子材料与器件校级平台
二零一九年七月二日