| 工艺类别 | 技术方法 | 典型材料/膜层 | 特点与应用 |
|---|---|---|---|
| 化学气相沉积 (CVD) | LPCVD、PECVD、ICP-CVD | 介质（SiO₂）、非晶/多晶硅 | 薄膜质量高、性能可控；适用于超厚介质层，低温沉积（如PECVD）。 |
| 物理气相沉积 (PVD) | 溅射、电子束蒸发、热蒸发、IBD | 金属（Al/Cu）、氧化物（Ta₂O₅） | 高深宽比结构（TSV/TGV）种子层；功能性薄膜（如V₂O₅）。 |
| 原子层沉积 (ALD) | 热ALD、等离子体ALD | 高k介质（HfO₂）、铁电薄膜 | 原子级厚度控制，台阶覆盖性极佳，适合纳米级器件。 |
| 压电薄膜沉积 | 多腔室系统（Mo/AlN/AlScN/修平） | AlScN多层压电叠层 | 高性能压电器件（如MEMS传感器），支持多材料同步沉积。 |
| 有机分子沉积 | 表面修饰、Parylene沉积 | 超疏水/亲水涂层、封装薄膜 | 生物兼容性高，用于功能化表面或器件保护（如柔性电子）。 |
| 氧化生长 | 干氧/湿氧热氧化 | SiO₂氧化层 | 半导体绝缘层，高温工艺（需硅衬底）。 |
| 低温碳材料生长 | CVD/PECVD | 石墨烯、碳纳米管 | 低温（<500°C）生长，兼容柔性衬底，用于传感器或导电材料。 |
| 分子束外延 (MBE) | 固态源/气态源MBE | SiGe、III-V族（GaAs/InP） | 超高真空环境，原子级外延控制；用于高速电子、光电器件（如激光器）。 |
