EBL+电子束蒸发，制作基于liftoff工艺的200nm线宽Ti/Au金属电极：
00KV电子束光刻: Min. 8~10 nm
用于光计算的非线性激活器。 EBL+ICPRIE：器件设计最小线宽100nm，刻蚀深度220nm。
8inch wafer DUV光刻后图形。光刻胶厚度400 nm，图形最小线宽200nm。
三维微纳打印封闭微流道：Min. 100 nm
激光无掩模直写灰度光刻：设备目前最小分辨率0.6 um
纳米压印光刻:Min. ≤20nm
聚焦离子束直接沉积与刻蚀:Min. ≤20nm
