提供物理性、化学性及物理化学性多种干法刻蚀工艺。
介质反应离刻蚀：SiO2、SiNx、玻璃、石英等
金属反应离子刻蚀：Al、Ti等金属、多晶硅、LNO、LTO等
深硅反应离子刻蚀（DRIE）：BOSCH深硅及TSV、浅硅及硅波导
高深宽比介质、石英、铌酸锂、钽酸锂刻蚀
各向异性离子束刻蚀：金属、2.5D图形、倾斜光栅
激光诱导玻璃刻蚀（TGV）
各向同性化学刻蚀：VHF SiO2刻蚀、XeF2 Si刻蚀
