• 型号:HSE200

    状态:运行

    功能:1. BOSH工艺或非BOSH工艺深硅刻蚀; 2. TSV(硅通孔)工艺硅深孔刻蚀; 3. SOI表面硅结构刻蚀。

    东区薄膜Ⅳ区(021) 34206126-6013
  • 型号:ICP-SR

    状态:运行

    功能:1. BOSH工艺或非BOSH工艺深硅刻蚀;
    2. TSV(硅通孔)工艺硅深孔刻蚀; 3. SOI表面硅结构刻蚀。

    西区薄膜II区(021) 34206126-6013
  • 型号:DSE200s

    状态:运行

    功能:1. BOSH工艺或非BOSH工艺深硅刻蚀;
    2. TSV(硅通孔)工艺硅深孔刻蚀;
    3. SOI表面硅结构刻蚀。

    西区薄膜II区(021) 34206126-6013
  • 型号:C200

    状态:调试验收中

    功能:1.刻蚀氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质薄膜; 2. 刻蚀碳化硅薄膜; 3. 石英刻蚀。

    东区薄膜Ⅲ区(021) 34206126-6013
  • 型号:GSE200plus

    状态:运行

    功能:1.刻蚀氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质薄膜;
    2. 刻蚀SiC薄膜; 3. 石英刻蚀。

    西区薄膜II区(021) 34206126-6013
  • 型号:NLD570

    状态:调试验收中

    功能:干法刻蚀设备,主要用于高深宽比石英材料刻蚀,铌酸锂晶体刻蚀等。

    东区薄膜Ⅳ区(021) 34206126-6013
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