型号:HSE200
功能:1. BOSH工艺或非BOSH工艺深硅刻蚀; 2. TSV(硅通孔)工艺硅深孔刻蚀; 3. SOI表面硅结构刻蚀。
型号:ICP-SR
型号:DSE200s
型号:C200
功能:1.刻蚀氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质薄膜; 2. 刻蚀碳化硅薄膜; 3. 石英刻蚀。
型号:GSE200plus
功能:1.刻蚀氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质薄膜; 2. 刻蚀SiC薄膜; 3. 石英刻蚀。
型号:NLD570
功能:干法刻蚀设备,主要用于高深宽比石英材料刻蚀,铌酸锂晶体刻蚀等。